| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD350 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD350 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor 2SD350 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA; RBE= ∞ 700 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 1mA; IE= 0 1500 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 1mA; IC= 0 6 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4.5A; IB= 2.0A 1.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 4.5A; IB= 2.0A 1.3 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 1500V; IE= 0 1 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 6V ; IC= 0 100 μ A hFE-1 DC Current Gain IC= 0.1A ; VCE= 5V 6 30 hFE-2 DC Current Gain IC= 4A ; VCE= 10V 3 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.1A; VCE= 5V 6 MHz tf Fall Time IC= 4.5A; IB= 2.0A 1.0 μ s |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |