| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD1890 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD1890 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1890 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 30mA; IB= 0 80 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 1mA; IE= 0 100 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB= 2mA 2.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB= 2mA 3.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 100V; IE= 0 100 μ A ICEO Collector Cutoff current VCE= 80V,IB= 0 100 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 3.0 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 5V 2000 hFE-2 DC Current Gain IC= 2A; VCE= 5V 5000 30000 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.5A; VCE= 10V 20 MHz Switching times ton Turn-on Time IC= 2A, IB1= IB2= 2mA 3.5 μ s tstg Storage Time 2.5 μ s tf Fall Time 0.6 μ s hFE-2Classifications Q P 5000-15000 8000-30000 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |