| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD1377 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD1377 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1377 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 30mA; RBE= ∞ 120 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 1mA; IE= 0 120 V VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 6mA 1.5 V VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 6A; IB= 30mA 2.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 6mA 2.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 120V; IE= 0 100 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 3.0 mA hFE -1 DC Current Gain IC= 4A; VCE= 3V 2000 15000 hFE -2 DC Current Gain IC= 8A; VCE= 3V 750 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.5A; VCE= 10V 20 MHz |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |