| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IRF820A bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IRF820A bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc N-Channel MOSFET Transistor IRF820A FEATURES · Low RDS(on) = 2.0Ω( TYP) · Lower Input Capacitance · Improved Gate Charge · Extended Safe Operating Area · Rugged Gate Oxide Technology DESCRIPTION · Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 500 V VGS Gate-Source Voltage-Continuous ± 30 V ID Drain Current-Continuous 2.5 A IDM Drain Current-Single Pluse 128 A PD Total Dissipation @TC=25℃ 50 W TJ Max. Operating Junction Temperature -55~150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 2.57 ℃ /W Rth j-a Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 ℃ /W |
Số phần tương tự - IRF820A |
|
Mô tả tương tự - IRF820A |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |