MBR2X080A100 datasheet(1/3 Pages) GENESIC

tên linh kiện	MBR2X080A100

Giải thích chi tiết về linh kiện	Electrically Isolated Base Plate

PDF	3 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	GENESIC [GeneSiC Semiconductor, Inc.]

Trang chủ	http://www.genesicsemi.com/

Logo

1 / 3 page

VRRM = 100 V

Module Type 160 A

IF(AV) = 160 A

Features

• High Surge Capability

• Type 100 V VRRM

• Isolation Type Package

SOT-227 Package

• Electrically Isolated Base Plate

• Not ESD Sensitive

Parameter

Symbol

Value

Unit

Maximum recurrent peak reverse voltage

VRRM

100

V

Maximum DC blocking voltage

VDC

100

V

Conditions

MBR2X080A100

Maximum ratings

Schottky Rectifier

Maximum DC blocking voltage

VDC

100

V

Maximum RMS Voltage

VRMS

70

V

Operating temperature

Tj

-40 to 150

°C

Storage temperature

Tstg

-40 to 150

°C

Parameter

Symbol

Value

Unit

Average forward current

(per pkg)

IF(AV)

160

A

Peak forward surge current

(per leg)

IFSM

900

A

0.84

V

0.75

V

1mA

10

mA

30

mA

Isolation voltage

ViSO

2500

V

Thermal characteristics

* Pulse Test: Pulse width 300 µs, Duty < 2 %

Electrical characteristics at 25 °C, unless otherwise specified

Conditions

Tj = 25 °C

8.3 ms, half sine

TC = 110 °C

Maximum thermal resistance junction to case

(per leg)

R

Θjc

°C/W

Tj = 150 °C

0.60

IFM = 80 A, Tj = 125 °C

Maximum instantaneous reverse current at

rated DC blocking voltage (per leg)

IR

Maximum instantaneous forward voltage*

(per leg)

IFM = 80 A, Tj = 25 °C

VF

Tj = 100 °C

A.C. 1 minute

www.genesicsemi.com/silicon-products/schottky-rectifiers/

1

Số phần tương tự - MBR2X080A100

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
GeneSiC Semiconductor, ...	MBR2X080A100	652Kb / 3P	Schottky Rectifier Module
GeneSiC Semiconductor, ...	MBR2X080A100	652Kb / 3P	Schottky Rectifier Module

More results

Mô tả tương tự - MBR2X080A100

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
GeneSiC Semiconductor, ...	MBR2X060A150	395Kb / 3P	Electrically Isolated Base Plate
	MBR2X060A180	323Kb / 3P	Electrically Isolated Base Plate
	MBR2X080A080	326Kb / 3P	Electrically Isolated Base Plate
	MBR2X080A120	400Kb / 3P	Electrically Isolated Base Plate
	MBR2X080A150	323Kb / 3P	Electrically Isolated Base Plate
	MBR2X100A045	340Kb / 3P	Electrically Isolated Base Plate
	MBR2X120A180	314Kb / 3P	Electrically Isolated Base Plate
Vishay Siliconix	VS-T40HF	268Kb / 11P	Electrically isolated base plate 20-Dec-16
	VS-VSK.250PBF	333Kb / 13P	Electrically isolated base plate 28-May-14
	VS-VSKS500	157Kb / 8P	Electrically isolated base plate 19-Dec-13

More results

MBR2X080A100 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - GeneSiC Semiconductor, Inc.

MBR2X080A100 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - GeneSiC Semiconductor, Inc.

Số phần tương tự - MBR2X080A100

Mô tả tương tự - MBR2X080A100

Html Pages

1 2 3

bảng dữ liệu tải về

Link URL