công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

Preview PDF HTML

STF11N60DM2 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics

tên linh kiện STF11N60DM2
Giải thích chi tiết về linh kiện  N-channel 600 V, 0.370 (ohm) typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
PDF  12 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Trang chủ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics

STF11N60DM2 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics

  STF11N60DM2 Datasheet HTML 1Page - STMicroelectronics STF11N60DM2 Datasheet HTML 2Page - STMicroelectronics STF11N60DM2 Datasheet HTML 3Page - STMicroelectronics STF11N60DM2 Datasheet HTML 4Page - STMicroelectronics STF11N60DM2 Datasheet HTML 5Page - STMicroelectronics STF11N60DM2 Datasheet HTML 6Page - STMicroelectronics STF11N60DM2 Datasheet HTML 7Page - STMicroelectronics STF11N60DM2 Datasheet HTML 8Page - STMicroelectronics STF11N60DM2 Datasheet HTML 9Page - STMicroelectronics Next Button
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 3 / 12 page
background image
STF11N60DM2
Electrical ratings
DocID029386 Rev 1
3/12
1
Electrical ratings
Table 2: Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
VGS
Gate-source voltage
±25
V
ID
Drain current (continuous) at Tcase = 25 °C
10
A
Drain current (continuous) at Tcase = 100 °C
6.3
IDM(1)
Drain current (pulsed)
40
A
PTOT
Total dissipation at Tcase = 25 °C
25
W
dv/dt(2)
Peak diode recovery voltage slope
40
V/ns
dv/dt(3)
MOSFET dv/dt ruggedness
50
VISO(4)
Insulation withstand voltage (RMS) from all three leads to
external heat sink
2.5
kV
Tstg
Storage temperature range
-55 to 150
°C
Tj
Operating junction temperature range
Notes:
(1) Pulse width is limited by safe operating area.
(2) ISD ≤ 10 A, di/dt=900 A/μs; VDS peak < V(BR)DSS,VDD = 400 V
(3) VDS ≤ 480 V.
(4)t = 1 s; TC = 25 °C
Table 3: Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rthj-case
Thermal resistance junction-case
5
°C/W
Rthj-amb
Thermal resistance junction-ambient
62.5
Table 4: Avalanche characteristics
Symbol
Parameter
Value
Unit
IAR(1)
Avalanche current, repetitive or not repetitive
2.5
A
EAS(2)
Single pulse avalanche energy
250
mJ
Notes:
(1) pulse width limited by Tjmax
(2) starting Tj = 25 °C, ID = IAR, VDD = 50 V.



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com