| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STM8AF526X bảng dữ liệu(PDF) 73 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STM8AF526X bảng dữ liệu(HTML) 73 Page - STMicroelectronics |
|
73 / 125 page ![]() DocID14395 Rev 15 73/125 STM8AF526x/8x/Ax STM8AF6269/8x/Ax Electrical characteristics 114 Table 37. Data memory Symbol Parameter Condition Min Max Unit TWE Temperature for writing and erasing - -40 150 °C NWE Data memory endurance(1) (erase/write cycles) 1. The physical granularity of the memory is four bytes, so cycling is performed on four bytes even when a write/erase operation addresses a single byte. TA = 25 °C 300 k - cycles TA = -40°C to 125 °C 100 k(2) 2. More information on the relationship between data retention time and number of write/erase cycles is available in a separate technical document. - tRET Data retention time TA = 25 °C 40(2)(3) 3. Retention time for 256B of data memory after up to 1000 cycles at 125 °C. - years TA = 55 °C 20(2)(3) - |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |