| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP24N60DM2 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STP24N60DM2 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 21 page ![]() DocID025499 Rev 3 5/21 STB24N60DM2, STP24N60DM2, STW24N60DM2 Electrical characteristics 21 Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit I SD (1) 1. Limited by maximum junction temperature Source-drain current - 18 A I SDM (2) 2. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain current (pulsed) - 72 A V SD (3) 3. Pulsed: pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5% Forward on voltage I SD = 18 A, V GS = 0 - 1.6 V t rr Reverse recovery time I SD = 18 A, di/dt = 100 A/μs V DD = 60 V (see Figure 18) - 155 ns Q rr Reverse recovery charge - 956 nC I RRM Reverse recovery current - 12.5 A t rr Reverse recovery time I SD = 18 A, di/dt = 100 A/μs V DD = 60 V, T j = 150 °C (see Figure 18) - 200 ns Q rr Reverse recovery charge - 1450 nC I RRM Reverse recovery current - 13 A |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |