| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
3DD102 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
3DD102 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website: www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc Silicon NPN Power Transistor 3DD102 DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min.) · DC Current Gain- : hFE= 20(Min.)@IC= 2A · Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.8V(Max)@ IC= 2.5A APPLICATIONS · Designed for power amplifier , DC Transform T-Shirt THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 2.0 ℃ /W SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current-Continuous 5 A PC Collector Power Dissipation@TC=75℃ 50 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~175 ℃ |
Số phần tương tự - 3DD102 |
|
Mô tả tương tự - 3DD102 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |