| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
CJW1012 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - ZP Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
CJW1012 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - ZP Semiconductor |
|
1 / 3 page ![]() SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJW1012 N-Channel Power MOSFET GENERRAL DESCRIPTION This Single N-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON). FEATURE High-Side Switching Low On-Resistance Low Threshold Fast Switching Speed ESD protected up to 2kV APPLICATIONS Drivers:Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories Battery Operated Systems Power Supply Converter Circuits Load/Power Switching Cell Phones, Pagers MARKING: C Maximum ratings (Ta=25 ℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source voltage VDSS 20 Gate-Source Voltage VGS ±12 V Drain Current-Continuous ID(DC) 500 Drain Current -Pulsed(note1) IDM(pulse) 1000 mA Power Dissipation (note 2 , Ta=25 ℃) 150 Maximum Power Dissipation (note 3 , Tc=25 ℃) PD 275 mW Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA 833 Thermal Resistance from Junction to Case RθJC 455 ℃/W Storage Temperature Tj 150 Junction Temperature Tstg -55 ~+150 ℃ SOT-323 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN 1 of 3 sales@zpsemi.com www.zpsemi.com CJW1012 |
Số phần tương tự - CJW1012 |
|
Mô tả tương tự - CJW1012 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |