| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD2161 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD2161 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor Product Specification isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2161 DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) · High DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ (VCE= 2V, IC= 2A) · Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max)@ (IC= 2A, IB= 2mA) APPLICATIONS · Designed for low-frequency power amplifiers and low- speed switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current-Continuous 5 A ICM Collector Current-Peak 10 A IB Base Current-Continuous 0.5 A PC Collector Power Dissipation @Ta=25℃ 2 W Collector Power Dissipation @TC=25℃ 20 TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ |
Số phần tương tự - 2SD2161 |
|
Mô tả tương tự - 2SD2161 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |