| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
TO-252-2L bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - ZP Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
TO-252-2L bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - ZP Semiconductor |
|
1 / 2 page ![]() TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU05N60 N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications such as power suplies, converters, power motor controls and bridge circuits. FEATURES Low RDS(on) Lower Capacitances Lower Total Gate Charge Tighter VSD Specifications Avalanche Energy Specified MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 600 Gate-Source Voltage VGS ±30 V Continuous Drain Current ID 4.5 A Single Pulsed Avalanche Energy (note1) EAS 2 50 mJ Power Dissipation (note 2,Ta=25 ℃) 1.25 Maximum Power Dissipation (note 3,Tc=25 ℃) PD 120 W Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA 100 ℃/W Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature Range Tstg -50 ~+150 ℃ 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE TO-252-2L 1 of 2 sales@zpsemi.com www.zpsemi.com CJU05N60 |
Số phần tương tự - TO-252-2L |
|
Mô tả tương tự - TO-252-2L |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |