| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
TC55VCM208ASTN40 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Toshiba Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
TC55VCM208ASTN40 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Toshiba Semiconductor |
|
4 / 12 page ![]() TC55VCM208ASTN40,55 2003-08-11 4/12 AC CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITIONS (Ta = −40° to 85°C, VDD = 2.7 to 3.6 V) READ CYCLE TC55VCM208ASTN 40 55 SYMBOL PARAMETER MIN MAX MIN MAX UNIT tRC Read Cycle Time 40 55 tACC Address Access Time 40 55 tCO1 Chip Enable( 1 CE ) Access Time 40 55 tCO2 Chip Enable(CE2) Access Time 40 55 tOE Output Enable Access Time 25 30 tCOE Chip Enable Low to Output Active 5 5 tOEE Output Enable Low to Output Active 0 0 tOD Chip Enable High to Output High-Z 20 25 tODO Output Enable High to Output High-Z 20 25 tOH Output Data Hold Time 10 10 ns WRITE CYCLE TC55VCM208ASTN 40 55 SYMBOL PARAMETER MIN MAX MIN MAX UNIT tWC Write Cycle Time 40 55 tWP Write Pulse Width 30 40 tCW Chip Enable to End of Write 35 45 tAS Address Setup Time 0 0 tWR Write Recovery Time 0 0 tODW R/W Low to Output High-Z 20 25 tOEW R/W High to Output Active 0 0 tDS Data Setup Time 20 25 tDH Data Hold Time 0 0 ns Note: tOD, tODO and tODW are specified in time when an output becomes high impedance, and are not judged depending on an output voltage level. |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |