IRLML5103 datasheet(1/4 Pages) HOTTECH

tên linh kiện	IRLML5103

Giải thích chi tiết về linh kiện	Power MOSFET

PDF	4 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	HOTTECH [GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD.]

Trang chủ	http://www.hottech.net.cn/

Logo

1 / 4 page

Power MOSFET

VDSS = -30V

RDS(on) = 0.60Ω

l

Generation V Technology

l

Ultra Low On-Resistance

l

P-Channel MOSFET

l

SOT-23 Footprint

l

Low Profile (<1.1mm)

l

Available in Tape and Reel

l

Fast Switching

l

Lead-Free

l

Halogen-Free

S

D

G

Parameter

Max.

Units

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V

-0.76

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V

-0.61

A

IDM

Pulsed Drain Current

-4.8

PD@TA = 25°C

Power Dissipation

540

mW

Linear Derating Factor

4.3

mW/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt

-5.0

V/ns

TJ,TSTG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Typ.

Max.

Units

RθJA

Maximum Junction-to-Ambient

230

Thermal Resistance

°C/W

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

V(BR)DSS

Drain-to-Source Breakdown Voltage

-30

V

VGS = 0V, ID = -250µA

∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient

-0.029 V/°C Reference to 25°C, ID = -1mA

0.60

VGS = -10V, ID = -0.60A

1.0

VGS = -4.5V, ID = -0.30A

VGS(th)

Gate Threshold Voltage

-1.0

V

VDS = VGS, ID = -250µA

gfs

Forward Transconductance

0.44

S

VDS = -10V, ID = -0.30A

-1.0

VDS = -24V, VGS = 0V

-25

VDS = -24V, VGS = 0V, TJ = 125°C

Gate-to-Source Forward Leakage

-100

VGS = -20V

Gate-to-Source Reverse Leakage

100

VGS = 20V

Qg

Total Gate Charge

3.4

5.1

ID = -0.60A

Qgs

Gate-to-Source Charge

0.52 0.78

nC

VDS = -24V

Qgd

Gate-to-Drain ("Miller") Charge

1.1

1.7

VGS = -10V, See Fig. 6 and 9

td(on)

Turn-On Delay Time

10

VDD = -15V

tr

Rise Time

8.2

ID = -0.60A

td(off)

Turn-Off Delay Time

23

RG = 6.2Ω

tf

Fall Time

16

RD = 25Ω, See Fig. 10

Ciss

Input Capacitance

75

VGS = 0V

Coss

Output Capacitance

37

pF

VDS = -25V

Crss

Reverse Transfer Capacitance

18

= 1.0MHz, See Fig. 5

Ω

µA

nA

ns

IGSS

IDSS

Drain-to-Source Leakage Current

RDS(ON)

Static Drain-to-Source On-Resistance

Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)

Page:P4 -P1

Plastic-Encapsulate Mosfets

GUANGDONG

HOTTECH

INDUSTRIAL

CO., LTD.

IRLML5103

Marking: DK

l

Số phần tương tự - IRLML5103

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
International Rectifier	IRLML5103	193Kb / 9P	Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.60ohm)
International Rectifier	IRLML5103	81Kb / 8P	HEXFET Power MOSFET
Guangdong Youtai Semico...	IRLML5103	428Kb / 6P	Generation VTechnology
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...	IRLML5103	388Kb / 6P	MOSFET Rev:2023A2
International Rectifier	IRLML5103GPBF	242Kb / 8P	HEXFET POWER MOSFET

More results

Mô tả tương tự - IRLML5103

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
AUK corp	STK730P	398Kb / 8P	Power MOSFET
Torex Semiconductor	XP131A1145SR	427Kb / 5P	Power MOSFET
	XP131A1715SR	439Kb / 5P	Power MOSFET
	XP132A1635SR	447Kb / 5P	Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRF9Z14S	2Mb / 8P	Power MOSFET 02-Jun-08
	IRF630	579Kb / 8P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF634N	162Kb / 8P	Power MOSFET 19-Jun-08
	IRF710	1,019Kb / 8P	Power MOSFET 30-May-08
ON Semiconductor	NTMS4937N	142Kb / 5P	Power MOSFET Power MOSFET September, 2009 ??Rev. 0
ON Semiconductor	NTP35N15G	161Kb / 7P	Power MOSFET Power MOSFET May, 2010 ??Rev. 4

More results

IRLML5103 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD.

IRLML5103 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD.

Số phần tương tự - IRLML5103

Mô tả tương tự - IRLML5103

Html Pages

1 2 3 4

bảng dữ liệu tải về

Link URL