| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2N5930 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2N5930 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistors 2N5930 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 50mA ; IB= 0 120 V VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 15A; IB= 1.5A 1.0 V VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 30A; IB= 7.5A 4.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 30A; IB= 7.5A 2.5 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 10A ; VCE= 4V 1.5 V ICEO Collector Cutoff Current VCE= 120V; IB= 0 2.0 mA ICBO Collector Cutoff Current VCB= 130V; IE= 0 1.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 1.0 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 10A ; VCE= 4V 20 100 hFE-2 DC Current Gain IC= 30A ; VCE= 4V 4 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 1A ; VCE= 10V ;ftest= 1MHz 30 MHz |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |