| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AM4N60P bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Analog Power |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AM4N60P bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Analog Power |
|
1 / 5 page ![]() Analog Power AM4N60P N-Channel 600-V (D-S) MOSFET VDS (V) ID (A) 600 4 a Symbol Limit Units VDS 600 VGS ±20 Continuous Drain Current a TC=25°C ID 4 IDM 16 TC=25°C IS 4 A Power Dissipation a TC=25°C PD 300 W TJ, Tstg -55 to 175 °C Symbol Maximum Units RθJA 62.5 RθJC 0.5 Notes a. Package Limited b. Pulse width limited by maximum junction temperature c. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board. Pulsed Drain Current b THERMAL RESISTANCE RATINGS °C/W Parameter Operating Junction and Storage Temperature Range ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED) V Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage PRODUCT SUMMARY rDS(on) (Ω) 2 @ VGS = 10V A Maximum Junction-to-Ambient c Maximum Junction-to-Case Continuous Source Current (Diode Conduction) a Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed Typical Applications: • Power Supplies • Motor Drives • Consumer Electronics DRAIN connected to TAB © Preliminary 1 Publication Order Number: DS_AM4N60P_1A |
Số phần tương tự - AM4N60P |
|
Mô tả tương tự - AM4N60P |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |