PUMD16 datasheet(4/7 Pages) PHILIPS

tên linh kiện	PUMD16

Giải thích chi tiết về linh kiện	NPN/PNP resistor-equipped transistors

PDF	7 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	PHILIPS [NXP Semiconductors]

Trang chủ	http://www.nxp.com

Logo

4 / 7 page

2003 Oct 22

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

NPN/PNP resistor-equipped transistors;

R1 = 22 k

Ω, R2 = 47 kΩ

PUMD16

CHARACTERISTICS

Tamb =25 °C unless otherwise speciﬁed.

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

Per transistor; for the PNP transistor with negative polarity

ICBO

collector-base cut-off current

VCB =50V; IE =0

−−

100

ICEO

collector-emitter cut-off current

VCE =30V; IB =0

−−

µA

VCE =30V; IB = 0; Tj = 150 °C

−−

µA

IEBO

emitter-base cut-off current

VEB =5V; IC =0

−−

120

µA

hFE

DC current gain

VCE =5V; IC = 5 mA

−−

VCEsat

collector-emitter saturation voltage

IC = 10 mA; IB = 0.5 mA

−−

150

Vi(off)

input-off voltage

IC = 100 µA; VCE =5V

−

0.8

0.5

Vi(on)

input-on voltage

IC = 2 mA; VCE = 0.3 V

1.1

−

input resistor

15.4

28.6

Ω

resistor ratio

1.7

2.1

2.6

collector capacitance

IE =ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz

TR1 (NPN)

−−

2.5

TR2 (PNP)

−−

3pF

--------

PUMD16 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors

PUMD16 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7

bảng dữ liệu tải về

Link URL