| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SS8050W bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Diode Semiconductor Korea |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SS8050W bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Diode Semiconductor Korea |
|
2 / 4 page ![]() Silicon Epitaxial Planar Transistor SS8050W Parameter Symbol Test conditions MIN MAX UNIT VCE=1V,IC=100mA 120 400 DC current gain hFE VCE=1V,IC=800mA 40 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=800 mA, IB= 80mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=800 mA, IB= 80mA 1.2 V Base-emitter voltage VBE VCE=1V IC=10mA 1 V Transition frequency fT VCE=10V, IC= 50mA f=30MHz 100 MHz CLASSIFICATION OF hFE(1) Rank L H J Range 120-200 200-350 300-400 TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified www.diode.kr Diode Semiconductor Korea |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |