| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IRF246 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IRF246 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel MOSFET Transistor IRF246 ·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYPE MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0; ID=250µA 275 V VGS(TH) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID=250µA 2 4 V RDS(ON) Drain-Source On-stage Resistance VGS=10V; ID=8A 0.28 Ω IGSS Gate Source Leakage Current VGS=±20V;VDS=0 ±100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=220V; VGS=0 250 uA VSD Diode Forward Voltage IS=14A; VGS=0 1.8 V Ciss Input Capacitance VDS=25V; VGS=0V; fT=1MHz 1300 pF Crss Reverse Transfer Capacitance 69 Coss Output Capacitance 320 tr Rise Time RGS=9.1Ω ID=14A; VDD=125V; RL=8.9Ω 67 100 ns td(on) Turn-on Delay Time 16 24 tf Fall Time 49 74 td(off) Turn-off Delay Time 53 80 PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |