| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUZ12 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BUZ12 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 1 isc N-Channel MOSFET Transistor BUZ12 DESCRIPTION ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.028Ω(Max) ·SOA is Power Dissipation Limited ·High input impedance APPLICATIONS designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 50 V VGS Gate-Source Voltage ±20 V ID Drain Current-continuous@ TC=37℃ 42 A Ptot Total Dissipation@TC=25℃ 125 W Tj Max. Operating Junction Temperature -55~150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 1 ℃/W Rth j-a Thermal Resistance,Junction to Ambient 75 ℃/W PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
Số phần tương tự - BUZ12 |
|
Mô tả tương tự - BUZ12 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |