| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AT89C51ED2-RDTIM bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - ATMEL Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AT89C51ED2-RDTIM bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - ATMEL Corporation |
|
4 / 24 page ![]() AT89C51RD2 / AT89C51ED2 QualPack 4 Rev. 0 – 2003 July 3 Technology Information 3.1 Wafer Process Technology Process Type (Name): Logic 0.35um with embedded FLASH (AT56800) Base Material: Epitaxied Silicon Wafer Thickness (final) 475 um Wafer Diameter 150 mm Number Of Masks 27 Gate Oxide (Logic transistors) Material Silicon Dioxide Thickness 68A Gate Oxide (EPROM cell) Material Silicon Dioxide Thickness 390A Polysilicon Number of Layers 2 Thickness Poly 1 1400A Amorphous Thickness Poly 2 3200A Metal Number of Layers 3 Material: Aluminum Copper Layer 1 Thickness 5000A Layer 2 Thickness 5000A Layer 3 Thickness 8000A Passivation Material Oxide HDP/ Oxy-nitride Thickness 21000A |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |