| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
10N70 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
10N70 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn 2 isc N-Channel MOSFET Transistor 10N70 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYPE MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID=250µA 700 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID=250µA 2.5 4.5 V VSD Diode Forward On-voltage IS= 10A ;VGS= 0 2.5 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID= 5.0A 1.2 Ω IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±30V;VDS= 0 ±100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=700V; VGS= 0 250 µA Ciss Input Capacitance VDS=25V; VGS=0V; fT=1MHz 3678 pF Crss Reverse Transfer capacitance 816 Coss Output Capacitance 293 tr Rise Time VGS=10V; ID=5.0A; VDD=406V; RL=10Ω 280 ns td(on) Turn-on Delay Time 130 tf Fall Time 210 td(off) Turn-off Delay Time 630 · PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |