 |
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
|
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
CTL015NS10-R3 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - CT Micro International Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
CTL015NS10-R3 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - CT Micro International Corporation |
|
|
1 / 11 page  CT Micro Rev 1 Proprietary & Confidential Page 1 Jun, 2015 CTL015NS10-R3 N-Channel Enhancement MOSFET Package Outline Schematic Features •••• Drain-Source Breakdown Voltage VDSS 105 V •••• Drain-Source On-Resistance RDS(ON) 230m Ω, at VGS= 10V, ID= 1.5A RDS(ON) 275m Ω, at VGS= 4.5V, ID= 1.0A •••• Continuous Drain Current at TA=25 ℃ID =1.5A •••• Advanced high cell density Trench Technology •••• RoHS Compliance & Halogen Free Applications •••• Power Management •••• LCD Display inverter •••• DC/DC Converter •••• Load Switch Description The CTL015NS10-R3 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. Gate Source Drain Gate Drain Source |
Số phần tương tự - CTL015NS10-R3 |
|
Mô tả tương tự - CTL015NS10-R3 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Vietnamese ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
