| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD960 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD960 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn 2 isc Silicon NPN Power Transistor 2SD960 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA; IB= 0 80 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3.0A; IB= 0.15A 0.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 3.0A; IB= 0.15A 1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 100V; IE= 0 10 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 50 μ A hFE-1 DC Current Gain IC= 0.1A; VCE= 2V 45 hFE-2 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 2V 60 260 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.5A; VCE= 10V 30 MHz Switching times ton Turn-on Time IC= 1A, IB1= -IB2= 0.1A 0.5 μ s tstg Storage Time 2.5 μ s tf Fall Time 0.15 μ s hFE-2 Classifications R Q P 60-120 90-180 130-260 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |