công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

MCT271 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Vishay Siliconix

tên linh kiện MCT271
Giải thích chi tiết về linh kiện  Optocoupler, Phototransistor Output, With Base Connection
PDF  9 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  VISHAY [Vishay Siliconix]
Trang chủ  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix

MCT271 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Vishay Siliconix

  MCT271 Datasheet HTML 1Page - Vishay Siliconix MCT271 Datasheet HTML 2Page - Vishay Siliconix MCT271 Datasheet HTML 3Page - Vishay Siliconix MCT271 Datasheet HTML 4Page - Vishay Siliconix MCT271 Datasheet HTML 5Page - Vishay Siliconix MCT271 Datasheet HTML 6Page - Vishay Siliconix MCT271 Datasheet HTML 7Page - Vishay Siliconix MCT271 Datasheet HTML 8Page - Vishay Siliconix MCT271 Datasheet HTML 9Page - Vishay Siliconix  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 2 / 9 page
background image
www.vishay.com
2
Document Number 83724
Rev. 1.4, 19-Apr-04
VISHAY
MCT270/ 1/ 2/ 3/ 4/ 5/ 6/ 7
Vishay Semiconductors
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Stresses in excess of the absolute Maximum Ratings can cause permanent damage to the device. Functional operation of the device is
not implied at these or any other conditions in excess of those given in the operational sections of this document. Exposure to absolute
Maximum Rating for extended periods of the time can adversely affect reliability.
Input
Output
Coupler
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Reverse voltage
VR
6.0
V
Forward current
IF
60
mA
Surge current
t < 10
µsIFSM
2.5
A
Power dissipation
Pdiss
100
mW
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Collector-emitter breakdown voltage
VCEO
70
V
Emitter-base breakdown voltage
7.0
V
Collector current
IC
50
mA
t < 1.0 ms
IC
100
mA
Power dissipation
Pdiss
150
mW
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Isolation test voltage
VISO
5300
VRMS
Creepage
≥ 7.0
mm
Clearance
≥ 7.0
mm
Isolation thickness between
emitter and detector
≥ 0.4
mm
Comparative tracking index per
DIN IEC 112/VDE0303,part 1
175
Isolation resistance
VIO = 500 V, Tamb = 25 °C
RIO
1012
Ω
VIO = 500 V, Tamb = 100 °C
RIO
1011
Ω
Storage temperature
Tamb
- 55 to + 150
°C
Operating temperature
Tamb
- 55 to + 100
°C
Junction temperature
Tj
100
°C
Soldering temperature
max. 10 s dip soldering:
distance to seating plane
≥ 1.5mm
Tsld
260
°C



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com