| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SC3790 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SC3790 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Website:www.iscsemi.cn 2 isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3790 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 10μA; IE= 0 300 V V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 1mA; RBE= ∞ 300 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Vltage IE= 10μA; IC= 0 5 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 20mA; IB= 2mA 0.6 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 20mA; IB= 2mA 1.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 200V; IE= 0 0.1 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 4V; IC= 0 0.1 μA hFE DC Current Gain IC= 10mA; VCE= 10V 40 320 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 10mA; VCE= 30V 150 MHz COB Output Capacitance IE= 0; VCB= 30V, ftest= 1MHz 2.6 pF hFE Classifications C D E F 40-80 60-120 100-200 160-320 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |