| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BFG193 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BFG193 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 5 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc RF Product Specification isc website:www.iscsemi.cn 1 isc Silicon NPN RF Transistor BFG193 DESCRIPTION · Low Noise Figure NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 8 V, IC = 10 mA, f = 900 MHz · High Gain ︱ S21e︱2 = 13.5 dB TYP. @VCE= 8 V,IC = 30 mA,f = 900 MHz APPLICATIONS · Designed for use in low noise ,high-gain amplifiers and linear broadband amplifiers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 20 V VCES Collector-Emitter Voltage 20 V VCEO Collector-Emitter Voltage 12 V VEBO Emitter-Base Voltage 2 V IC Collector Current-Continuous 80 mA IB Base Current-Continuous 10 mA PC Collector Power Dissipation @TC=25℃ 0.6 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -65~150 ℃ |
Số phần tương tự - BFG193 |
|
Mô tả tương tự - BFG193 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |