| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
3DD208 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
3DD208 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification 1 isc website:www.iscsemi.cn isc Silicon NPN Power Transistor 3DD208 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 200V(Min.) ·DC Current Gain- : hFE= 30~250(Min.)@IC= 0.5A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max)@ IC= 1A APPLICATIONS ·Designed for switching regulator and power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 300 V VCEO Collector-Emitter Voltage 200 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current-Continuous 3 A PC Collector Power Dissipation@TC=25℃ 50 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ |
Số phần tương tự - 3DD208 |
|
Mô tả tương tự - 3DD208 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |