| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SA652 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SA652 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon PNP Power Transistor 2SA652 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -50mA ; IB= 0 -100 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= -1mA; IE= 0 -150 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -0.5A; IB= -50mA -1.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= -0.5A; IB= -50mA -2.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -150V; IE= 0 -10 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -10 μ A hFE DC Current Gain IC= -0.2A; VCE= -5V 40 200 COB Collector Output Capacitance IE=0; VCB= -5V; f= 1MHz 100 pF fT Current-Gain —Bandwidth Product IC= -0.1A; VCE= -10V 15 MHz |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |