| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD965 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Nanjing International Group Co |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD965 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Nanjing International Group Co |
|
1 / 3 page ![]() 2SD965 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for low-frequency power and stroboscope applications. The transistor is subdivided into three groups P, Q and R, according to its DC current gain. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. Features ․Low collector-emitter saturation voltage ․Satisfactory operation performances at high TO-92 Plastic Package efficiency with the low voltage power supply Weight approx. 0.19g Absolute Maximum Ratings (Ta=25 oC) Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 20 V Emitter Base Voltage VEBO 7 V Peak Collector Current ICP 8 A Collector Current IC 5 A Power Dissipation Ptot 750 mW Junction Temperature Tj 150 OC Storage Temperature Range TS -55 to +150 OC |
Số phần tương tự - 2SD965 |
|
Mô tả tương tự - 2SD965 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |