| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AP70SL1K4AI bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Advanced Power Electronics Corp. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AP70SL1K4AI bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Advanced Power Electronics Corp. |
|
4 / 5 page ![]() AP70SL1K4AI 0.37Ω Fig 7. Gate Charge Characteristics Fig 8. Typical Capacitance Characteristics Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig10. Effective Transient Thermal Impedance Fig 11. Total Power Dissipation Fig 12. Normalized BVDSS v.s. Junction Temperature 4 0.1 1 10 100 1000 10000 0 100 200 300 400 500 600 700 V DS , Drain-to-Source Voltage (V) f=1.0MHz C iss C oss C rss 0 2 4 6 8 10 12 0 4 8 12 16 Q G , Total Gate Charge (nC) I D =1.5A V DS =480V 0.001 0.01 0.1 1 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t , Pulse Width (s) PDM Duty factor = t/T Peak Tj = PDM x Rthjc + TC t T 0.02 0.01 0.05 0.1 0.2 Duty factor=0.5 Single Pulse 0.001 0.01 0.1 1 10 1 10 100 1000 V DS , Drain-to-Source Voltage (V) T C =25 o C Single Pulse 10us 100us 1ms 10ms 100ms DC 0 10 20 30 40 0 50 100 150 T C , Case Temperature ( o C ) Operation in this area limited by RDS(ON) 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 -100 -50 0 50 100 150 T j , Junction Temperature ( o C) I D =1mA . |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |