| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ACE5212A bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ACE5212A bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
1 / 7 page ![]() ACE5212A N-Channel Enhancement Mode MOSFET VER 1.1 1 Description The ACE5212A is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed. Features • 20V/0.65A, R DS(ON)=380 mΩ@VGS=4.5V • 20V/0.55A,R DS(ON)=450mΩ@VGS=2.5V • 20V/0.45A, R DS(ON) =800mΩ@VGS=1.8V • Super high density cell design for extremely low R DS (ON) • Exceptional on-resistance and maximum DC current capability Application • Drivers : Relays/Solenoids/Lamps/Hammers • Power Supply Converter Circuits • Load/Power Switching Cell Phones, Pagers |
Số phần tương tự - ACE5212A |
|
Mô tả tương tự - ACE5212A |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |