công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

Preview PDF HTML

STL16N65M2 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics

tên linh kiện STL16N65M2
Giải thích chi tiết về linh kiện  N-channel 650 V, 0.325 ??typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT™5x6 HV package
PDF  16 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Trang chủ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics

STL16N65M2 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics

  STL16N65M2 Datasheet HTML 1Page - STMicroelectronics STL16N65M2 Datasheet HTML 2Page - STMicroelectronics STL16N65M2 Datasheet HTML 3Page - STMicroelectronics STL16N65M2 Datasheet HTML 4Page - STMicroelectronics STL16N65M2 Datasheet HTML 5Page - STMicroelectronics STL16N65M2 Datasheet HTML 6Page - STMicroelectronics STL16N65M2 Datasheet HTML 7Page - STMicroelectronics STL16N65M2 Datasheet HTML 8Page - STMicroelectronics STL16N65M2 Datasheet HTML 9Page - STMicroelectronics Next Button
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 3 / 16 page
background image
DocID027128 Rev 1
3/16
STL16N65M2
Electrical ratings
16
1
Electrical ratings
Table 2. Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
VGS
Gate-source voltage
± 25
V
ID
Drain current (continuous) at TC = 25 °C
7.5
A
ID
Drain current (continuous) at TC = 100 °C
4.7
A
IDM
(1)
1.
Pulse width limited by safe operating area.
Drain current (pulsed)
30
A
PTOT
Total dissipation at TC = 25 °C
56
W
dv/dt (2)
2.
ISD ≤ 7.5 A, di/dt ≤ 400 A/µs; VDS peak < V(BR)DSS, VDD=400 V.
Peak diode recovery voltage slope
15
V/ns
dv/dt (3)
3.
VDS ≤ 520 V
MOSFET dv/dt ruggedness
50
V/ns
Tstg
Storage temperature
- 55 to 150
°C
Tj
Max. operating junction temperature
Table 3. Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rthj-case
Thermal resistance junction-case max
2.23
°C/W
Rthj-pcb
Thermal resistance junction-pcb max(1)
1.
When mounted on 1 inch² FR-4, 2 Oz copper board
59
°C/W
Table 4. Avalanche characteristics
Symbol
Parameter
Value
Unit
IAR
Avalanche current, repetitive or not
repetitive (pulse width limited by Tjmax)
1.5
A
EAS
Single pulse avalanche energy (starting
Tj=25°C, ID= IAR; VDD=50)
115
mJ



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com