| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BSP350 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Infineon Technologies AG |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BSP350 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Infineon Technologies AG |
|
3 / 6 page ![]() BSP 350 Semiconductor Group Page 3 08.04.97 Parameter and Conditions Symbol Values Unit at Tj = 25 °C, Vbb = 13.5V unless otherwise specified min typ max Protection Functions Current limit (pin 2 to 3) 5) Tj = 25°C Tj = -40...+150° IL(SC) 0.2 0.1 0.5 -- 1 1.2 A Thermal overload trip temperature Tjt 150 -- -- °C Thermal hysteresis ∆T jt -- 20 -- K Overvoltage protection Tj =-40...+150°C Vbbin(AZ) 50 56 -- V Output clamp (ind. load switch off) at VOUT = Vbb - VON(CL) VON(CL) -- 56 -- V Inductive load switch-off energy dissipation 6) EAS -- -- 5mJ Reverse battery resistor (pin 1 to 2) RIN -- 1 -- k Ω Reverse Diode Continious reverse drain current Tj = 25°C IS -- -- 0.2 A Pulsed reverse drain current Tj = 25°C ISM -- -- 0.8 A Diode forward on voltage IF = 0.2 A, IIN = ≤ 0.05 mA VSD -- 0.9 1.2 V 5 ) load current limits onset at IL * Ron approx. 1V short circuit protection: combination of current limit and thermal overload switch off 6 ) while demagnetizing load inductance, dissipated energy is EAS= ∫(VON(CL) * iL(t) dt, approx. EAS= 1/2 * L * I 2 L * ( VON(CL) VON(CL)-Vbb ) |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |