BCV61 datasheet(2/5 Pages) INFINEON

tên linh kiện	BCV61

Giải thích chi tiết về linh kiện	NPN Silicon Double Transistor

PDF	5 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	INFINEON [Infineon Technologies AG]

Trang chủ	http://www.infineon.com

Logo

2 / 5 page

BCV61

Jul-10-2001

Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Values

Unit

min.

typ.

max.

DC Characteristics of T1

Collector-emitter breakdown voltage

IC = 10 mA, IB = 0

V(BR)CEO

Collector-base breakdown voltage

IC = 10 µA, IB = 0

V(BR)CBO

Emitter-base breakdown voltage

IE = 10 µA, IC = 0

V(BR)EBO

Collector cutoff current

VCB = 30 V, IE = 0

ICBO

Collector cutoff current

VCB = 30 V, IE = 0 , TA = 150 °C

ICBO

µA

DC current gain 1)

IC = 0.1 mA, VCE = 5 V

hFE

100

DC current gain 1)

IC = 2 mA, VCE = 5 V

hFE

110

200

420

180

290

520

220

450

800

Collector-emitter saturation voltage1)

IC = 10 mA, IB = 0.5 mA

IC = 100 mA, IB = 5 mA

VCEsat

200

250

600

Base-emitter saturation voltage 1)

IC = 10 mA, IB = 0.5 mA

IC = 100 mA, IB = 5 mA

700

900

VBEsat

580

Base-emitter voltage 1)

IC = 2 mA, VCE = 5 V

IC = 10 mA, VCE = 5 V

660

700

770

VBE(ON)

BCV61A

BCV61B

BCV61C

1) Pulse test: t

≤ 300µs, D = 2%

BCV61 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Infineon Technologies AG

BCV61 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Infineon Technologies AG

Html Pages

1 2 3 4 5

bảng dữ liệu tải về

Link URL