| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BTS409L1 bảng dữ liệu(PDF) 9 Page - Infineon Technologies AG |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BTS409L1 bảng dữ liệu(HTML) 9 Page - Infineon Technologies AG |
|
9 / 13 page ![]() BTS409L1 Data Sheet 9 2013-10-10 Vbb disconnect with charged external inductive load PROFET V IN ST OUT GND bb 1 2 4 3 5 V bb high S D If other external inductive loads L are connected to the PROFET, additional elements like D are necessary. Inductive Load switch-off energy dissipation PROFET V IN ST OUT GND bb = E E E EAS bb L R ELoad L RL { Z L Energy stored in load inductance: EL = 1/2·L·I 2 L While demagnetizing load inductance, the energy dissipated in PROFET is EAS= Ebb + EL - ER= VON(CL)·iL(t) dt, with an approximate solution for RL 0 : EAS= IL·L 2·RL · (Vbb + |VOUT(CL)|)· ln (1+ IL·RL |VOUT(CL)| ) Maximum allowable load inductance for a single switch off L = f (IL ); Tj,start = 150°C,TC = 150°C const., Vbb = 12 V, RL = 0 L [mH] 1 10 100 1000 10000 1 2 3 4 5 IL [A] Transient thermal impedance chip case ZthJC = f(tp)ZthJC [K/W] 0.01 0.1 1 10 1E-5 1E-4 1E-3 1E-2 1E-1 1E0 1E1 1E2 0 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 D= tp [s] |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |