| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
10N60G-TQ2-R bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
10N60G-TQ2-R bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
1 / 9 page ![]() UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10N60 Power MOSFET www.unisonic.com.tw 1 of 7 Copyright © 2014 Unisonic Technologies Co., Ltd QW-R502-119.O 10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits. FEATURES * RDS(ON) < 0.75Ω@VGS =10V * Fast switching * 100% avalanche tested * Improved dv/dt capability SYMBOL |
Số phần tương tự - 10N60G-TQ2-R |
|
Mô tả tương tự - 10N60G-TQ2-R |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |