| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
19N10G-TN3-R bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
19N10G-TN3-R bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
1 / 8 page ![]() UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 19N10 Power MOSFET www.unisonic.com.tw 1 of 8 Copyright © 2015 Unisonic Technologies Co., Ltd QW-R502-261.J 15.6A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 100V N-Channel enhancement mode power field effect transistors (MOSFET) are produced by UTC’s planar stripe, DMOS technology which has been tailored especially in the avalanche and commutation mode to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse. They are suited for low voltage applications such as audio amplifier, high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor control. FEATURES * RDS(ON) < 0.1Ω @ VGS=10V, ID=7.8A * Fast switching capability * Avalanche energy Specified * Improved dv/dt capability, high ruggedness SYMBOL |
Số phần tương tự - 19N10G-TN3-R |
|
Mô tả tương tự - 19N10G-TN3-R |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |