| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
UT20N03G-TN3-R bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
UT20N03G-TN3-R bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
3 / 6 page ![]() UT20N03 Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 3 of 6 www.unisonic.com.tw QW-R502-139.D ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ=25°C, unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Drain-Source Voltage VDSS 30 V Gate-Source Voltage VGSS ±20 V Continuous Drain Current ID 20 A Pulsed Drain Current (Note 1) IDM 120 Avalanche Energy Single Pulsed (Note 2) EAS 15 mJ Repetitive (Note 1) EAR 6 Peak Diode Recovery (Note 3) dv/dt 6 KV/μs Power Dissipation TO-252 PD 60 W DFN-8(5×6) 21 W Junction Temperature TJ +175 °C Storage Temperature TSTG -55 ~ +175 °C Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. THERMAL DATA PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT Junction to Ambient TO-252 θJA 100 °C/W DFN-8(5×6) 46 Junction to Case TO-252 θJC 1.7 2.5 °C/W DFN-8(5×6) 6 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |