| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
UT3419G-AE2-R bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
UT3419G-AE2-R bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
1 / 4 page ![]() UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3419 Power MOSFET www.unisonic.com.tw 1 of 4 Copyright © 2014 Unisonic Technologies Co., Ltd QW-R502-391.F 20V, 3.5A P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC UT3419 is a P-channel enhancement MOSFET providing designers with excellent RDS(ON), low gate charge. The gate voltage is as low as 2.5V. The UTC UT3419 can be applied in PWM applications or used as a load switch. FEATURES * RDS(ON) < 75mΩ (VGS = -10V) RDS(ON) < 95mΩ (VGS = -4.5V) RDS(ON) < 145mΩ (VGS = -2.5V) SYMBOL ORDERING INFORMATION Ordering Number Package Pin Assignment Packing 1 2 3 UT3419G-AE2-R SOT-23-3 S G D Tape Reel UT3419G-AE3-R SOT-23 S G D Tape Reel Note: Pin Assignment: S: Source G: Gate D: Drain MARKING 34VG |
Số phần tương tự - UT3419G-AE2-R |
|
Mô tả tương tự - UT3419G-AE2-R |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |