công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

Preview PDF HTML

T2096G-TN3-R bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Unisonic Technologies

tên linh kiện T2096G-TN3-R
Giải thích chi tiết về linh kiện  HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
PDF  4 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  UTC [Unisonic Technologies]
Trang chủ  http://www.utc-ic.com
Logo UTC - Unisonic Technologies

T2096G-TN3-R bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Unisonic Technologies

  T2096G-TN3-R Datasheet HTML 1Page - Unisonic Technologies T2096G-TN3-R Datasheet HTML 2Page - Unisonic Technologies T2096G-TN3-R Datasheet HTML 3Page - Unisonic Technologies T2096G-TN3-R Datasheet HTML 4Page - Unisonic Technologies  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 2 / 4 page
background image
T2096
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R213-017. C
ABSOLUATE MAXIUM RATINGS (TA=25C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
800
V
Collector-Emitter Voltage
VCES
800
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
400
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
8
V
Base Current
IB
1
A
DC Collector Current
IC
2
A
Pulse Collector Current (Note 2)
ICP
4
A
TA=25C
1
Collector Dissipation
TC=25C
PC
15
W
Junction Temperature
TJ
150
C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
C
Note:1.Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
2. Pulse Test: Pulse Width ≤300μS, Duty Cycle≤10%
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO
IC =1mA, IE =0
800
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC =5mA, RBE=∞
400
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVEBO
IE =1mA, IC =0
8
V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC =1A, IB =0.2A
0.8
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
IC =1A, IB =0.2A
1.5
V
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB =400V, IE =0
10
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB =5V, IC =0
10
μA
hFE 1
VCE =5V, IC =1mA
45
DC Current Gain
hFE 2
VCE =5V, IC =0.2A
120
180
Current Gain-Bandwidth Product
fT
VCE =10V, IC =0.2A
20
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB =10V, f =1MHz
20
pF
Turn-on Time
tON
0.5
μs
Storage Time
tSTG
2.5
μs
Fall Time
tF
IC =1.0A, IB1 =0.05A
IB2 = -0.5A, RL =200Ω
VCC=200V
0.3
μs



Html Pages

1 2 3 4


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com