| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SB649 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SB649 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
|
2 / 4 page ![]() JMnic Product Specification 2 Silicon PNP Power Transistors 2SB649 2SB649A CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT 2SB649 -120 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SB649A IC=-10mA; RBE=∞ -160 V 2SB649 -180 V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage 2SB649A IC=-1m A ;IE=0 -180 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-1mA ;IC=0 -5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-0.5A ;IB=-50mA -1.0 V VBE Base-emitter voltage IC=-150mA ; VCE=5V -1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=-160V; IE=0 -10 μA 2SB649 60 320 hFE-1 DC current gain 2SB649A IC=-150mA ; VCE=-5V 60 200 hFE-2 DC current gain IC=-0.5A ; VCE=-5V 30 fT Transition frequency IC=-150mA ; VCE=-5V 140 MHz COB Collector output capacitance f=1MHz ; VCB=-10V 27 pF hFE Classifications hFE-1 B C D 2SB649 60-120 100-200 160-320 2SB649A 60-120 100-200 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |