công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

Preview PDF HTML

DMN5L06K bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Diodes Incorporated

tên linh kiện DMN5L06K
Giải thích chi tiết về linh kiện  N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
PDF  6 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  DIODES [Diodes Incorporated]
Trang chủ  http://www.diodes.com
Logo DIODES - Diodes Incorporated

DMN5L06K bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Diodes Incorporated

  DMN5L06K Datasheet HTML 1Page - Diodes Incorporated DMN5L06K Datasheet HTML 2Page - Diodes Incorporated DMN5L06K Datasheet HTML 3Page - Diodes Incorporated DMN5L06K Datasheet HTML 4Page - Diodes Incorporated DMN5L06K Datasheet HTML 5Page - Diodes Incorporated DMN5L06K Datasheet HTML 6Page - Diodes Incorporated  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 2 / 6 page
background image
DMN5L06K
Document number: DS30929 Rev. 8 - 2
2 of 6
www.diodes.com
March 2014
© Diodes Incorporated
DMN5L06K
Maximum Ratings (@TA = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Drain Source Voltage
VDSS
50
V
Gate-Source Voltage
VGSS
20
V
Drain Current (Note 5)
Continuous
Pulsed (Note 6)
ID
300
800
mA
Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Total Power Dissipation (Note 5)
PD
350
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RθJA
357
C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150
C
Electrical Characteristics (@TA = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
BVDSS
50
V
VGS = 0V, ID = 10μA
Zero Gate Voltage Drain Current
@ TC = +25°C
IDSS
60
nA
VDS = 50V, VGS = 0V
Gate-Body Leakage
IGSS
1
500
50
μA
nA
nA
VGS = ±12V, VDS = 0V
VGS = ±10V, VDS = 0V
VGS = ±5V, VDS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
VGS(th)
0.49
1.0
V
VDS = VGS, ID = 250μA
Static Drain-Source On-Resistance
RDS(ON)




3.0
2.5
2.0
Ω
VGS = 1.8V, ID = 50mA
VGS = 2.5V, ID = 50mA
VGS = 5.0V, ID = 50mA
On-State Drain Current
ID(ON)
0.5
1.4
A
VGS = 10V, VDS = 7.5V
Forward Transconductance
|Yfs|
200
mS
VDS =10V, ID = 0.2A
Source-Drain Diode Forward Voltage
VSD
0.5
1.4
V
VGS = 0V, IS = 115mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Ciss
50
pF
VDS = 25V, VGS = 0V
f = 1.0MHz
Output Capacitance
Coss
25
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
5.0
pF
Notes:
5. Device mounted on FR-4 PCB
6. Pulse width
10mS, Duty Cycle 1%.
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.



Html Pages

1 2 3 4 5 6


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com