| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
HTB1A60 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - SemiHow Co.,Ltd. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
HTB1A60 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - SemiHow Co.,Ltd. |
|
3 / 6 page ![]() ◎ SEMIHOW REV.A1,March 2013 Typical Characteristics Fig 1. R.M.S. current vs. Power dissipation Fig 2. R.M.S. current vs. Case temperature Fig 3. Gate power characteristics Fig 4. Surge on state current rating (Non-repetitive) Fig 5. Gate trigger current vs. junction temperature Fig 6. Gate trigger voltage vs. junction temperature 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 180 o 150 o 120 o 90 o 60 o 30 o R.M.S. on state current, I T(RMS) [A] -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 V +GT1 V -GT1 V +GT3 V -GT3 Junction temperature, T J[ oC] 10 0 10 1 10 2 0 3 6 9 12 15 50Hz 60Hz Time [cycles] 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 70 80 90 100 110 120 130 180 o 150 o 120 o 90 o 60 o 30 o R.M.S. on state current, I T(RMS) [A] -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 I +GT3 Junction Temperature, T J[ oC] I +GT1 I -GT1 I -GT3 10 0 10 1 10 2 10 3 10 -1 10 0 10 1 25[ oC] I +GT3 25[ oC] I +GT1 I -GT1 I -GT3 P G(AV)(0.2W) P GM(2W) V GD Gate current, I G [mA] |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |