| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP35N10 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STP35N10 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
|
4 / 8 page ![]() www.samhop.com.tw Apr,22,2014 4 VGS, Gate-to-Source Voltage(V) Figure 7. On-Resistance vs. Gate-Source Voltage VSD, Body Diode Forward Voltage(V) Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current VDS, Drain-to-Source Voltage(V) Figure 9. Capacitance Qg, Total Gate Charge(nC) Figure 10. Gate Charge Rg, Gate Resistance( Ω) Figure 11. switching characteristics Figure 12. Maximum Safe Operating Area 110 100 1 10 100 300 VDS=50V,ID=1A VGS=10V TD(on) Tr TD(off ) Tf 120 100 80 60 40 20 0 10 0 125 C 75 C 25 C ID=17.5A 10 1 20 Ciss Coss Crss 2100 1750 1400 1050 700 350 0 10 15 20 25 30 0 5 10 8 6 4 2 0 VDS=50V ID=17.5A 8 6 4 2 0 1.25 1.00 0.75 0.50 0.25 25 C 75 C 125 C STP35N10 Ver 1.1 0 3 69 12 15 18 21 24 VDS, Drain-Source Voltage(V) 0.1 1 10 100 100 10 1 0.3 VGS=10V Single Pulse TC=25 C 1m s 100 us 10u s |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |