| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STK600 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STK600 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
|
1 / 7 page ![]() S mHop Microelectronics C orp. a Symbol VDS VGS IDM W A PD °C 1.25 -55 to 150 ID Units Parameter 60 0.80 4.4 V V ±20 TA=25°C Gate-Source Voltage Drain-Source Voltage THERMAL CHARACTERISTICS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted) Limit Drain Current-Continuous a -Pulsed b Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG www.samhop.com.tw Mar,29,2011 1 Details are subject to change without notice. TA=25°C A 100 °C/W Thermal Resistance, Junction-to-Ambient R JA D G D S SOT-89 TA=70°C A 0.65 TA=70°C W 0.8 EAS mJ Single Pulse Avalanche Energy d 0.56 STK600 Gre rr P Pr P P o rr PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(ON) ( Ω)Max 60V 0.8A 1.3 @ VGS=4.5V 0.9 @ VGS=10V S G D Suface Mount Package. FEATURES Super high dense cell design for low RDS(ON). Rugged and reliable. ESD Protected. Ver 1.0 |
Số phần tương tự - STK600 |
|
Mô tả tương tự - STK600 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |