| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AN4355 bảng dữ liệu(PDF) 23 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AN4355 bảng dữ liệu(HTML) 23 Page - STMicroelectronics |
|
23 / 25 page ![]() DocID025240 Rev 2 23/25 AN4355 Layout suggestions 25 8 Layout suggestions The L648x devices require external MOSFETs for implementing the power stage which drives the motor phases. The electrical connections between the device and the external MOSFETs are critical and particular attention must be paid to reduce parasitic inductances. Figure 16 shows the critical paths which should be designed to be as short as possible and the area of the circuits should be minimized avoiding the sensitivity of such structures to the surrounding noise. Typically, a good power system layout keeps the power MOSFETs as close as possible to the related gate driver. Figure 16. Layout critical paths |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |