SSD02N65SL_15 datasheet(1/5 Pages) SECOS

tên linh kiện	SSD02N65SL

Giải thích chi tiết về linh kiện	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

PDF	5 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	SECOS [SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]

Trang chủ	http://www.secosgmbh.com

Logo

1 / 5 page

Elektronische Bauelemente

SSD02N65SL

2A , 650V , RDS(ON) 4.8

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

23-Dec -2013 Rev. A

Page 1 of 5

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

TO-252

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen free

DESCRIPTION

The SSD02N65SL is the highest performance trench

N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide

excellent RDS(on) and gate charge for most of the synchronous

buck converter applications .

FEATURES

Advanced high cell density Trench technology

Super Low Gate Charge

Excellent CdV/dt effect decline

100% EAS Guaranteed

Green Device Available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

650

V

Gate-Source Voltage

VGS

±30

V

TC=25°C

2

A

Continuous Drain Current

TC=100°C

ID

1.3

A

Pulsed Drain Current

IDM

8

A

TC=25°C

36

Total Power Dissipation

Derate above 25°C

PD

0.29

W

Single Pulse Avalanche Energy

1

EAS

100

mJ

Operating Junction and Storage Temperature Range

TJ, TSTG

-55~150

°C

Thermal Resistance Rating

Maximum Thermal Resistance Junction-Ambient

RθJA

110

°C / W

Maximum Thermal Resistance Junction-Case

RθJC

3.47

°C / W

Notes:

1. L=30mH,IAS=2.37A, VDD=60V, RG=25 , Starting TJ =25°C

1

Gate

3

Source

2

Drain

A

C

D

N

O

P

G E

F

H

K

J

M

B

Millimeter

REF.

Min.

Max.

REF.

Min.

Max.

A

6.35

6.90

J

2.30 REF.

B

4.95

5.50

K

0.64

1.14

C

2.10

2.50

M

0.50

1.14

D

0.43

0.9

N

1.3

1.8

E

6.0

7.5

O

0

0.13

F

2.80 REF

P

0.58REF.

G

5.40

6.40

H

0.60

1.20

Số phần tương tự - SSD02N65SL_15

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
SeCoS Halbleitertechnol...	SSD02N65SL	544Kb / 5P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	SSD02N65SL	1Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
VBsemi Electronics Co.,...	SSD02N65SL	1Mb / 9P	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

More results

Mô tả tương tự - SSD02N65SL_15

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
SeCoS Halbleitertechnol...	SMG2310A	906Kb / 3P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SMS6001	662Kb / 4P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SSM01N60SL	557Kb / 5P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SSRF03N80SL	600Kb / 5P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SSD20N10-130D	538Kb / 4P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SSE04N65SL	557Kb / 5P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SSRF02N65SL	577Kb / 5P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SSRF08N70SL	472Kb / 5P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SSU07N65SL	568Kb / 5P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SSPS924NE	630Kb / 4P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

More results

SSD02N65SL bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SSD02N65SL bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

Số phần tương tự - SSD02N65SL_15

Mô tả tương tự - SSD02N65SL_15

Html Pages

1 2 3 4 5

bảng dữ liệu tải về

Link URL