| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ACE5208 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ACE5208 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
1 / 6 page ![]() ACE5208 P-Channel Power MOSFET VER 1.1 1 Description The ACE5208 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltage. This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. Features • Advanced trench MOSFET process technology • Ultra low on-resistance with low gate charge Applications • PWM application • Load switch • Battery charge in cellular handset Absolute Maximum Ratings Parameter Symb ol Max Unit Drain-Source Voltage VDSS -12 V Gate-Source Voltage VGS ±8 Drain Current-Continuous ID -6 A Drain Current-Pulsed (note 1) IDM -20 Power Dissipation (note 2, TA=25℃) PD 1.5 W Maximum Power Dissipation (note 3, TC=25℃) 12 Thermal Resistance from Junction to Ambient (note 4) RθJA 83.3 ℃/W Thermal Resistance from Junction to case (note 4) RθJC 10.4 Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature TSTG -55~+150 Packaging Type |
Số phần tương tự - ACE5208 |
|
Mô tả tương tự - ACE5208 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |