| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
RJP1CS08DWT bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Renesas Technology Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
RJP1CS08DWT bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Renesas Technology Corp |
|
3 / 4 page ![]() RJP1CS08DWT / RJP1CS08DWA R07DS0831EJ0300 Rev.3.00 Page 3 of 3 Oct 20, 2014 Die Dimension Unit: mm Illustration Part of white Part of dotted line Part of gray Note 1. Note 2. The back of the chip is processed with Au evaporation. Note 3. Recognition, target and any other patterns which are not related to IGBT operation, may be changed without notice. Definition Al pattern Bonding area Final passivation 11.9 10.25 1.31 8.88 Emitter bonding pad (1) Emitter bonding pad (4) Emitter bonding pad (3) Emitter bonding pad (2) Gate bonding pad Ordering Information Orderable Part Number RJP1CS08DWA-80#W0 RJP1CS08DWT-80#X0 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |